用于GaAS衬底有源焦点的InSb光电二极管的平面阵列

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资料介绍

用于GaAS衬底有源焦点的InSb光电二极管的平面阵列(中文5000字,英文PDF)
摘要：本文讲述了能够集成MESFET的GaAs衬底技术的发展和InSb光电探测器的中红外光平面光学特性，并展示了新型的有源像素器件的结构。我们的研究结果为在单芯片上开发集成的中红外焦平面阵列电路奠定了基础。对器件结构的研究面积低至0.0016平方毫米。通过添加碳化硅钝化层，我们改进了整流器，使得反向偏置中的漏电流降低了27%。在近、中红外波段进行了广泛的验证。通过在带隙上方照射引起碰撞电离，在近红外范围内获得了高达3.54A/W的响应度和高于1的量子效率值。在中红外范围内，观察到高达0.97A/W的响应度。事实证明，这些设备的宽度与标准视频抽样速率兼容。

索引术语——焦平面阵列（FPA），GaAs,红外线图像传感器，InSb，中红外（mid-IR），单片集成。