热线式CVD沉积n型μc-Si薄膜对于μc-Si/同单晶硅异质结太阳能电池的应用(中文2500字,英文pdf)
Shui-Yang Liena, Dong-Sing Wuua,⁎, Bing-Rui Wua, Ray-Hua Horngb,Ming-Chun Tsengc, Hsin-Her Y
材料科学与工程学院,国立中兴大学,台中,台湾,中华民国40227年B
精密工程研究所,国立中兴大学,台中,台湾中华民国40227年C
光电研究所,材料科学,国家福尔摩沙大学云林虎尾,632,台湾,中华民国
可用的在线2007年6月15日
摘 要
磷掺杂微晶硅(μc-Si)薄膜是准备使用热线化学汽相淀积(HWCVD)。电气结构,
和光学性质这些薄膜系统的研究作为一个函数的PH 3气体混合比例。我们报告最近的结果p型晶体硅基异质结(HJ)太阳能电池使用HWCVD n-μc-Si膜形成一个np结。表面形貌的晶体硅基片上的氢被检查后治疗使用原子力显微镜。一个传输长度的方法被用来修改载(ITO)的沉积参数以减少ITO / n-μc-Si前接触电阻。在我们最好的太阳能电池样品(1cm2)没有任何缓冲层,转换效率为15.1%,取得了一个开放的电路电压0.615 V,填充系数为0.71和短电路电流密度34.6 mA /cm2，在100 mW /cm2条件。光谱响应的电池也会被讨论。
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关键词:微晶硅;热线化学汽相淀积(HWCVD);太阳能电池;原子力显微镜
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