在380°C低温的非晶硅薄膜的固相晶化

在380°C低温的非晶硅薄膜的固相晶化(中文2500字,英文pdf)
最近，多晶硅已受到越来越多的关注，由于其广泛适用性与可以大面积生产，包括薄膜晶体管（薄膜二极管)、太阳能电池和图像传感器。固相结晶是用于a-Si薄膜的结晶最常见的方法，但是其结晶温度太高，很难找到能够承受其温度的玻璃衬底。众所周知，通过加入某些金属可以降低a-Si薄膜（固相晶化）材料的晶化温度。
   当加入某些金属层时，如铝、铜、金、银、镍，可以在比固相晶化温度更低的温度，a-Si薄膜再进行结晶得到多晶硅硅。在少量的金属存在的条件下，可以增强a-Si固相结晶。根据以往的报道，在扩散层间中发生金属和a-Si薄膜之间的反应可以降低晶化温度。