低温快速热处理制备多晶硅

低温快速热处理制备多晶硅(中文3100字,英文pdf)
    低温快速热处理技术在低温时结晶掺杂和非掺杂非晶硅的过程已经得到运用。不同于一般沉积多晶硅薄膜的技术，这些薄膜的晶粒尺寸并不受薄膜厚度的限制， 它的生长完全的取决于结晶时间和温度，如，4分钟700℃。就这种无参杂的非晶硅的而言，通过这种技术，其结果与在高温下沉积无参杂多晶硅的电导率相同。至于参杂的非晶硅薄膜，结晶后的电导率可达到 160 S/cm，比得上参杂的多晶硅和微晶硅的最高值，并且，这些结晶后的薄膜载流子迁移率可达 13 cm2 /V s。